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|---|---|
| 1+ | NT$70.130 |
| 10+ | NT$31.270 |
| 100+ | NT$28.050 |
| 500+ | NT$23.420 |
| 1000+ | NT$18.590 |
| 5000+ | NT$18.220 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRLU024NPBF复制
製造商標準前置時間42 週
訂購代碼8651329
其他名稱SP001553260
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation46W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
產品總覽
The IRLU024NPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
- 175°C Operating temperature
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
- Logic level gate drive
應用
Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
46W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地:
承擔產品生產最後程序之國家原產地:Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地:Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定:Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤):.000711
