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ISC028N03LF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Surface Mount
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號ISC028N03LF2SATMA1
訂購代碼4645877RL
技術資料表
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id128A
Drain Source On State Resistance2800µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2800µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
8Pins
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Continuous Drain Current Id
128A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001