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GAN080-650EBEZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Surface Mount
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品項附註
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產品訊息
技術規格
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
DFN8080
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
29A
Typical Gate Charge
6.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000012