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GANE3R9-150QBAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$479.810 |
| 5+ | NT$404.040 |
| 10+ | NT$328.270 |
| 50+ | NT$263.820 |
| 100+ | NT$242.900 |
| 250+ | NT$238.050 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
NT$479.81
品項附註
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產品訊息
技術規格
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
3900µohm
Transistor Case Style
VQFN
No. of Pins
25Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
100A
Typical Gate Charge
20nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001