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NSF040120D7A0J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 1.2 kV, 0.031 ohm, TO-263
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| 50+ | NT$559.630 |
| 100+ | NT$528.040 |
| 250+ | NT$527.630 |
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品項附註
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產品訊息
技術規格
Continuous Drain Current Id
65A
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
306W
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001504