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PHB47NQ10T,118
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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|---|---|
| 100+ | NT$48.580 |
| 500+ | NT$36.620 |
| 1000+ | NT$32.470 |
| 5000+ | NT$31.460 |
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多項: 1
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產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號PHB47NQ10T,118
訂購代碼3440007RL
Product RangeTrenchMOS
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation166W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchMOS
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
166W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001