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PSMN2R8-80BS,118
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 120 A, 2550 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
產品訊息
製造商NEXPERIA
製造商產品編號PSMN2R8-80BS,118
訂購代碼3440109RL
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance2550µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation306W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
306W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2550µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001