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BSS123LT1G
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
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最少: 500
多項: 5
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號BSS123LT1G
訂購代碼9558640RL
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10VDC
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The BSS123LT1G is a N-channel Power MOSFET with drain source voltage at 100VDC and drain current at 170mA.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
應用
Automotive
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10VDC
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000389