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BSS84LT1G
Power MOSFET, P Channel, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$6.040 | NT$30.20 |
| 總計 價格 | NT$30.20 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$6.040 |
| 50+ | NT$5.150 |
| 100+ | NT$4.260 |
| 500+ | NT$3.370 |
| 1500+ | NT$3.300 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號BSS84LT1G
訂購代碼
複捲式1431318RL
條帶式包裝1431318
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id130mA
Drain Source On State Resistance10ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The BSS84LT1G is a P-channel Power MOSFET qualified to AEC Q101 and PPAP capable. It is suitable for DC-DC converters and load switching applications.
應用
Communications & Networking, Power Management, Computers & Computer Peripherals
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
130mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
10ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000032