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FCMT299N60
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 12 A, 0.299 ohm, PQFN, Surface Mount
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FCMT299N60
訂購代碼3018889
Product RangeSuperFET II
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.299ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation125W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET II
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.299ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
SuperFET II
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000008