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FDA28N50
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 28 A, 0.155 ohm, TO-3PN, Through Hole
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| 100+ | NT$90.240 |
| 500+ | NT$88.440 |
| 1000+ | NT$86.640 |
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDA28N50
訂購代碼3368719
Product RangeUniFET
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.155ohm
Transistor Case StyleTO-3PN
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation310W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-3PN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
310W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.155ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.007121