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FDB2532
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$170.300 | NT$170.30 |
| 總計 價格 | NT$170.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$170.300 |
| 10+ | NT$100.130 |
| 50+ | NT$88.860 |
| 100+ | NT$77.590 |
| 250+ | NT$76.040 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 800+ | NT$74.190 |
| 2400+ | NT$72.710 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDB2532
訂購代碼
整卷2323157
複捲式1471029RL
條帶式包裝1471029
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation310W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
產品總覽
The FDB2532 is a PowerTrench® N-channel MOSFET suitable for synchronous rectification, battery protection circuit, uninterruptible power supplies and micro solar inverter.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
應用
Power Management, Consumer Electronics
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
310W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002087