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FDD13AN06A0
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$53.840 | NT$269.20 |
| 總計 價格 | NT$269.20 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$53.840 |
| 50+ | NT$45.470 |
| 100+ | NT$37.100 |
| 500+ | NT$29.550 |
| 1000+ | NT$29.350 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDD13AN06A0
訂購代碼
複捲式1700666RL
條帶式包裝1700666
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0135ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation115W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
產品總覽
The FDD13AN06A0 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit application.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002268