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FDD8586
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 35 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
不再生產
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDD8586
訂購代碼1324786
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance4000µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation77W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
77W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
4000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0003