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FDD86102
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$90.770 | NT$90.77 |
| 總計 價格 | NT$90.77 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$90.770 |
| 10+ | NT$56.650 |
| 100+ | NT$40.090 |
| 500+ | NT$39.290 |
| 1000+ | NT$38.490 |
| 5000+ | NT$37.690 |
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDD86102复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼
複捲式2083234RL
條帶式包裝2083234
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation62W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
產品總覽
The FDD86102 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- Very low Qg and Qgd compared to competing Trench technologies
- Fast switching speed
- 100% UIL tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0003