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FDS4465.
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 13.5 A, 8500 µohm, SOIC, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$64.670 |
| 10+ | NT$40.060 |
| 100+ | NT$28.300 |
| 500+ | NT$22.460 |
| 1000+ | NT$22.020 |
| 5000+ | NT$21.570 |
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDS4465.
訂購代碼1471051
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id13.5A
Drain Source On State Resistance8500µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13.5A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
8500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000214