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FDS6681Z
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Surface Mount
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| 5+ | NT$64.930 |
| 50+ | NT$54.850 |
| 100+ | NT$44.770 |
| 500+ | NT$37.260 |
| 1000+ | NT$36.510 |
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最少: 5
多項: 5
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDS6681Z
訂購代碼1611454
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance4600µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00013