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MJD47T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 250 V, 1 A, 1.56 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 50+ | NT$16.950 |
| 100+ | NT$13.700 |
| 500+ | NT$10.900 |
| 1000+ | NT$9.530 |
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多項: 5
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品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號MJD47T4G复制
製造商標準前置時間17 週
訂購代碼2464110
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max250V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation1.56W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transition Frequency10MHz
DC Current Gain hFE Min30hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
250V
Power Dissipation
1.56W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
10MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00045