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NTD6414ANT4G
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 32 A, 0.037 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTD6414ANT4G
訂購代碼1879965RL
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance0.037ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The NTD6414ANT4G is a N-channel Power MOSFET offers 100V drain source voltage and 32A continuous drain current.
- Lower RDS (ON)
- High current capability
- 100% Avalanche tested
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
應用
Power Management, Industrial
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000401