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NTHL020N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTHL020N090SC1
訂購代碼3367854
Product RangeEliteSiC Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id118A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation503W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
118A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
503W
Product Range
EliteSiC Series
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002