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NXH80T120L2Q0S2G
IGBT Module, PIM Half Bridge Inverter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
无库存
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NXH80T120L2Q0S2G
訂購代碼2835631
技術資料表
IGBT ConfigurationPIM Half Bridge Inverter
Continuous Collector Current67A
Collector Emitter Saturation Voltage2.35V
Power Dissipation158mW
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
技術規格
IGBT Configuration
PIM Half Bridge Inverter
Collector Emitter Saturation Voltage
2.35V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Continuous Collector Current
67A
Power Dissipation
158mW
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.026838