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SI4435DY
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Surface Mount
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| 100+ | NT$21.310 |
| 500+ | NT$16.750 |
| 1000+ | NT$15.270 |
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號SI4435DY
訂購代碼1653655
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8.8A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
SI4435DY 的替代選擇
找到 4 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000215