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SS8550DBU
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 25 V, 1.5 A, 1 W, TO-226AA, Through Hole
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| 10+ | NT$7.320 |
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| 500+ | NT$2.860 |
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| 5000+ | NT$2.320 |
價格Each
最少: 5
多項: 5
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號SS8550DBU
訂購代碼2454124
技術資料表
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max25V
Continuous Collector Current1.5A
Power Dissipation1W
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency200MHz
DC Current Gain hFE Min160hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The SS8550DBU is a PNP Epitaxial Silicon Transistor designed for use in 2W output amplifier of portable radios in Class B push-pull operation.
- Complimentary to SS8050
應用
RF Communications, Portable Devices, Industrial, Power Management
技術規格
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
1.5A
Transistor Case Style
TO-226AA
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
160hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
25V
Power Dissipation
1W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
200MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000179