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FCD850N80Z
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.85 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FCD850N80Z
訂購代碼2825204RL
Product RangeSuperFET II
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET II
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET II
MSL
MSL 1 - Unlimited
FCD850N80Z 的替代選擇
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0004