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FDN86265P
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 800 mA, 0.0012 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 100+ | NT$21.070 |
| 500+ | NT$16.680 |
| 1000+ | NT$15.660 |
| 5000+ | NT$14.730 |
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最少: 100
多項: 5
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FDN86265P
訂購代碼2822539RL
Product RangePowerTrench
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source On State Resistance0.0012ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000045