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FGD3N60LSDTM
IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 500+ | NT$19.490 |
| 1000+ | NT$18.360 |
| 5000+ | NT$17.230 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 500
多項: 1
NT$9,745.00
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號FGD3N60LSDTM
訂購代碼3368680RL
技術資料表
Continuous Collector Current6A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation40W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
技術規格
Continuous Collector Current
6A
Power Dissipation
40W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0004