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NTBL075N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 37 A, 650 V, 0.085 ohm, H-PSOF
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NTBL075N065SC1
訂購代碼4472905RL
Product RangeEliteSiC Series
技術資料表
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.085ohm
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation139W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
139W
Product Range
EliteSiC Series
Drain Source Voltage Vds
650V
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001