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NVBG022N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NVBG022N120M3S
訂購代碼4036823RL
Product RangeEliteSiC Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.72V
Power Dissipation234W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.72V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
234W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0007