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NXH007F120M3F2PTHG
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, M3S, Full Bridge, N Channel, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NXH007F120M3F2PTHG
訂購代碼4472917
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id149A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StylePIM
No. of Pins34Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation353W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Full Bridge
Continuous Drain Current Id
149A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
No. of Pins
34Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
PIM
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
353W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001