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NXH50M65L4C2SG
IGBT Module, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$2,453.510 |
| 5+ | NT$2,318.260 |
| 10+ | NT$2,140.710 |
| 50+ | NT$1,993.930 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$2,453.51
品項附註
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產品訊息
製造商ONSEMI
製造商產品編號NXH50M65L4C2SG
訂購代碼3872101
技術資料表
IGBT Configuration-
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleDIP
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max650V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
技術規格
IGBT Configuration
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
-
Product Range
-
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
DIP
Collector Emitter Voltage Max
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001