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RTP100E1P8G1FL-DSC-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 101 A, 2400 µohm, 16.3 nC, FCLGA, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$138.620 |
| 10+ | NT$74.620 |
| 100+ | NT$68.450 |
| 500+ | NT$66.070 |
| 1000+ | NT$64.750 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商RENESAS
製造商產品編號RTP100E1P8G1FL-DSC-TR复制
訂購代碼5142786
Product RangeREXGAN Series
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id101A
Drain Source On State Resistance2400µohm
Typical Gate Charge16.3nC
Transistor Case StyleFCLGA
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins9Pins
Product RangeREXGAN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2400µohm
Transistor Case Style
FCLGA
No. of Pins
9Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
101A
Typical Gate Charge
16.3nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
REXGAN Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：待通知
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001