列印頁面
BM3G115MUV-LBE2
GaN HEMT Power Stage IC, 6.83 to 30 V, -40 °C to 105 °C, 150mOhm, VQFN046V8080-46
產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號BM3G115MUV-LBE2
訂購代碼4721169
技術資料表
IC FunctionGaN HEMT Power Stage
Supply Voltage Min6.83V
Supply Voltage Max30V
IC Package TypeVQFN046V8080
No. of Pins46Pins
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
IC Function
GaN HEMT Power Stage
Supply Voltage Max
30V
No. of Pins
46Pins
Operating Temperature Max
105°C
Automotive Qualification Standard
-
Supply Voltage Min
6.83V
IC Package Type
VQFN046V8080
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001