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BSM400D12P3G002
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 400 A, 1.2 kV, Module
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號BSM400D12P3G002
訂購代碼3573231
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id400A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation1.57kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
400A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
1.57kW
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.28