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BST91B1P4K01-VC
Silicon Carbide MOSFET, Full Bridge, Four N Channel, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號BST91B1P4K01-VC
訂購代碼4840752
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationFull Bridge
Channel TypeFour N Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleHSDIP
No. of Pins20Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation385W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Full Bridge
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
No. of Pins
20Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Four N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
HSDIP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
385W
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.01