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R6009RND3TL1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9 A, 0.665 ohm, TO-252, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$46.080 |
| 10+ | NT$30.470 |
| 100+ | NT$25.420 |
| 500+ | NT$24.440 |
| 1000+ | NT$24.300 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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品項附註
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號R6009RND3TL1
訂購代碼4158094
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.665ohm
Transistor Case StyleTO-252
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max7V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Transistor Case Style
TO-252
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.665ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001