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RD3S100AAFRATL
Power MOSFET, N Channel, 190 V, 10 A, 0.182 ohm, TO-252, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 100+ | NT$50.080 |
| 500+ | NT$43.780 |
| 1000+ | NT$36.880 |
| 5000+ | NT$35.690 |
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號RD3S100AAFRATL
訂購代碼3934705RL
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds190V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.182ohm
Transistor Case StyleTO-252
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation85W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-252
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
85W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
190V
Drain Source On State Resistance
0.182ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0005