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SCT3120ALGC11
Silicon Carbide Power MOSFET, N Channel, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, 18 V, 5.6 V
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產品訊息
製造商ROHM
製造商產品編號SCT3120ALGC11
訂購代碼2678787
其他名稱SCT3120ALGC11
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleTO-247N
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation103W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247N
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
103W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001361