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MJD117T4
Bipolar (BJT) Darlington Transistor, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$36.300 |
| 10+ | NT$22.770 |
| 100+ | NT$14.920 |
| 500+ | NT$11.550 |
| 1000+ | NT$9.260 |
| 5000+ | NT$8.180 |
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多項: 1
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品項附註
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產品訊息
製造商產品編號MJD117T4
訂購代碼2341707
技術資料表
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current2A
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The MJD117T4 is a PNP complementary power Darlington Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. It has monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
- Complementary pair - MJD112
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
20W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
2A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000726