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STD100N10F7
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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製造商產品編號STD100N10F7复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼
複捲式2629744RL
條帶式包裝2629744
Product RangeDeepGATE STripFET VII
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$106.040 | NT$106.04 |
| 總計 價格 | NT$106.04 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$106.040 |
| 10+ | NT$63.500 |
| 100+ | NT$46.270 |
| 500+ | NT$45.270 |
| 1000+ | NT$44.270 |
品項附註
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產品訊息
製造商產品編號STD100N10F7复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼
複捲式2629744RL
條帶式包裝2629744
Product RangeDeepGATE STripFET VII
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance6800µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeDeepGATE STripFET VII
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
- 100V, 80A N-channel STripFET™ F7 power MOSFETs in 3 pin DPAK package
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- Suitable for switching applications
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
DeepGATE STripFET VII
MSL
MSL 1 - Unlimited
STD100N10F7 的替代選擇
找到 3 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00042