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STD110N8F6
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 80 A, 5600 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 100+ | NT$34.800 |
| 500+ | NT$28.210 |
| 1000+ | NT$27.170 |
| 5000+ | NT$26.120 |
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最少: 100
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產品訊息
製造商產品編號STD110N8F6
訂購代碼3132718RL
Product RangeSTripFET F6
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance5600µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
5600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F6
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00035