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STD7ANM60N
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5 A, 0.8 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
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| 500+ | NT$25.350 |
| 1000+ | NT$21.030 |
| 5000+ | NT$20.840 |
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產品訊息
製造商產品編號STD7ANM60N
訂購代碼3132731RL
Product RangeMDmesh II
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.8ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh II
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh II
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00035