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STGD4M65DF2
IGBT, 8 A, 1.6 V, 68 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 100+ | NT$20.890 |
| 500+ | NT$16.490 |
| 1000+ | NT$16.390 |
| 5000+ | NT$16.280 |
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產品訊息
製造商產品編號STGD4M65DF2
訂購代碼3366980RL
Product Range650V M
技術資料表
Continuous Collector Current8A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation68W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range650V M
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
68W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
650V M
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00033