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STH30N65DM6-7AG
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
產品訊息
製造商產品編號STH30N65DM6-7AG
訂購代碼3798134RL
Product RangeMDmesh DM6
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.102ohm
Transistor Case StyleH2PAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation223W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh DM6
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
223W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
7Pins
Product Range
MDmesh DM6
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00154