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STO60N030M9
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 79 A, 0.03 ohm, TO-LL Type A2, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 10+ | NT$271.050 |
| 50+ | NT$253.210 |
| 100+ | NT$235.370 |
| 250+ | NT$230.670 |
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多項: 1
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產品訊息
製造商產品編號STO60N030M9
訂購代碼4690212RL
技術資料表
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id79A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-LL Type A2
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation255W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
255W
Operating Temperature Max
150°C
Continuous Drain Current Id
79A
Transistor Case Style
TO-LL Type A2
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
No. of Pins
8Pins
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001