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CSD18502KCS
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 212 A, 2400 µohm, TO-220, Through Hole
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
| 製造商 | TEXAS INSTRUMENTS |
|---|---|
| 製造商產品編號 | CSD18502KCS复制 |
| 製造商標準前置時間 | 54 週 |
| 訂購代碼 | 3385720 |
| Product Range | NexFET |
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$111.890 |
| 10+ | NT$103.110 |
| 100+ | NT$94.320 |
| 500+ | NT$85.530 |
| 1000+ | NT$76.740 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$111.89
品項附註
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產品訊息
| 製造商 | TEXAS INSTRUMENTS |
|---|---|
| 製造商產品編號 | CSD18502KCS复制 |
| 製造商標準前置時間 | 54 週 |
| 訂購代碼 | 3385720 |
| Product Range | NexFET |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 40V |
| Continuous Drain Current Id | 212A |
| Drain Source On State Resistance | 2400µohm |
| Transistor Case Style | TO-220 |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.8V |
| Power Dissipation | 259W |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Product Range | NexFET |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (27-Jun-2018) |
技術規格
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 212A |
| Transistor Case Style | TO-220 |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation | 259W |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Qualification | - |
| Drain Source Voltage Vds | 40V |
|---|---|
| Drain Source On State Resistance | 2400µohm |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.8V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | NexFET |
| SVHC | No SVHC (27-Jun-2018) |
法規與環境保護
| 原產地： 承擔產品生產最後程序之國家原產地： | Taiwan 承擔產品生產最後程序之國家 |
|---|---|
| 關稅編號： | 85412900 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| 符合 RoHS 規定： | 是 RoHS |
| 符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定: | 是 RoHS |
| SVHC: | No SVHC (27-Jun-2018) |
| 下載產品合規憑證 | 產品合規憑證 |
| 重量 (公斤)： | .002543 |