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CSD18532Q5B
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 3200 µohm, VSON, Surface Mount
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可供訂購
製造商標準交貨時間：22 週
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$106.780 | NT$106.78 |
| 總計 價格 | NT$106.78 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$106.780 |
| 10+ | NT$62.370 |
| 100+ | NT$48.010 |
| 500+ | NT$39.520 |
| 1000+ | NT$38.870 |
| 5000+ | NT$38.100 |
品項附註
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產品訊息
製造商產品編號CSD18532Q5B复制
製造商標準前置時間22 週
訂購代碼
複捲式3009663RL
條帶式包裝3009663
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance3200µohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation3.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
產品總覽
The CSD18532Q5B is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. It is suitable for use in DC-to-DC conversion, secondary side synchronous rectifier and isolated converter primary side switch applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- Logic level
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
應用
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000098