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CSD19506KCS
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 2000 µohm, TO-220, Through Hole
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| 5+ | NT$179.040 |
| 10+ | NT$168.590 |
| 50+ | NT$158.140 |
| 100+ | NT$147.690 |
| 250+ | NT$137.240 |
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產品訊息
製造商產品編號CSD19506KCS复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼3125056
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
CSD19506KCS 的替代選擇
找到 2 個產品
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004074