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CSD23381F4
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.3 A, 0.15 ohm, LGA, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$11.170 | NT$55.85 |
| 總計 價格 | NT$55.85 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$11.170 |
| 10+ | NT$7.490 |
| 100+ | NT$4.570 |
| 500+ | NT$3.290 |
| 1000+ | NT$2.210 |
| 5000+ | NT$1.870 |
品項附註
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產品訊息
製造商產品編號CSD23381F4复制
製造商標準前置時間34 週
訂購代碼
複捲式3385721RL
條帶式包裝3385721
Product RangeFemtoFET
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleLGA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFemtoFET
Qualification-
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
LGA
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
FemtoFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000002