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CSD86356Q5DT

Dual MOSFET, N Channel, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm

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包裝選項

複捲式

(最少：500 / 多個：1)

條帶式包裝

(最少：1 / 多個：1)

包裝類型	數量	單價:	總計
條帶式包裝	1	NT$130.640	NT$130.64
總計價格			NT$130.64

條帶式包裝 & 複捲式

品項附註

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製造商	TEXAS INSTRUMENTS
製造商產品編號	CSD86356Q5DT复制
製造商標準前置時間	54 週
訂購代碼	複捲式2885447RL 條帶式包裝2885447
Product Range	NexFET Series
Channel Type	N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel	25V
Drain Source Voltage Vds P Channel	25V
Continuous Drain Current Id N Channel	40A
Continuous Drain Current Id P Channel	40A
Drain Source On State Resistance N Channel	1800µohm
Drain Source On State Resistance P Channel	1800µohm
Transistor Case Style	SON
No. of Pins	8Pins
Power Dissipation N Channel	12W
Power Dissipation P Channel	12W
Operating Temperature Max	125°C
Product Range	NexFET Series
Qualification	-
MSL	MSL 1 - Unlimited

Channel Type	N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel	25V
Continuous Drain Current Id P Channel	40A
Drain Source On State Resistance P Channel	1800µohm
No. of Pins	8Pins
Power Dissipation P Channel	12W
Product Range	NexFET Series
MSL	MSL 1 - Unlimited

Drain Source Voltage Vds N Channel	25V
Continuous Drain Current Id N Channel	40A
Drain Source On State Resistance N Channel	1800µohm
Transistor Case Style	SON
Power Dissipation N Channel	12W
Operating Temperature Max	125°C
Qualification	-

原產地：承擔產品生產最後程序之國家原產地：	United States 承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：	85412900
US ECCN:	EAR99
EU ECCN:	NLR
符合 RoHS 規定：	是 RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:	是 RoHS
下載產品合規憑證	產品合規憑證
重量 (公斤)：	.0001