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HN4B102J(TE85L,F)
Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$30.620 |
| 10+ | NT$19.190 |
| 100+ | NT$12.540 |
| 500+ | NT$9.680 |
| 1000+ | NT$7.290 |
| 5000+ | NT$6.560 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
NT$153.10
品項附註
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產品訊息
製造商TOSHIBA
製造商產品編號HN4B102J(TE85L,F)
訂購代碼4062480
其他名稱HN4B102J, HN4B102J(TE85L
技術資料表
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN30V
Collector Emitter Voltage Max PNP30V
Continuous Collector Current NPN2A
Continuous Collector Current PNP2A
Power Dissipation NPN1.1W
Power Dissipation PNP1.1W
DC Current Gain hFE Min NPN40hFE
DC Current Gain hFE Min PNP40hFE
Transistor Case StyleSOT-25
No. of Pins5Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
技術規格
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
30V
Continuous Collector Current PNP
2A
Power Dissipation PNP
1.1W
DC Current Gain hFE Min PNP
40hFE
No. of Pins
5Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max NPN
30V
Continuous Collector Current NPN
2A
Power Dissipation NPN
1.1W
DC Current Gain hFE Min NPN
40hFE
Transistor Case Style
SOT-25
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Japan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001